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手機(jī)也要上HBM芯片?三星計(jì)劃推出移動(dòng)版HBM,預(yù)計(jì)首款產(chǎn)品2028年上市

2025/2/20 18:53:59      挖貝網(wǎng) 周路遙

近年來,隨著AI的興起,一種具有高帶寬低功耗特征的存儲(chǔ)芯片——HBM芯片也隨之爆火,包括  NVIDIA H100、AMD MI300等均使用了HBM芯片。現(xiàn)在,三星計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大HBM芯片的使用范圍,將其帶到手機(jī)市場(chǎng)。

據(jù)韓國首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,三星電子半導(dǎo)體暨裝置解決方案(DS)部門首席技術(shù)官宋在赫表示,搭載LPW DRAM內(nèi)存的首款移動(dòng)產(chǎn)品將在2028年上市。LPW DRAM通過堆疊LPDDR DRAM,大幅增加I/O接口,可減少耗電量并提高性能,采用垂直引線鍵合的新封裝技術(shù),被譽(yù)為“移動(dòng)HBM”。其帶寬可達(dá)200GB/s以上,較現(xiàn)有的LPDDR5x提升166%。

據(jù)了解,HBM為High Bandwidth Memory縮寫,意即高帶寬內(nèi)存。這是一種基于3D堆疊技術(shù)的高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM),專為需要極高數(shù)據(jù)帶寬的應(yīng)用設(shè)計(jì)。它通過垂直堆疊多層DRAM芯片,利用**硅通孔(TSV)和中介層(Interposer)**實(shí)現(xiàn)與處理器(如GPU、CPU、AI加速器)的高速互聯(lián),顯著提升內(nèi)存帶寬和能效。

舉例來說,單顆HBM芯片帶寬可達(dá)數(shù)百GB/s至數(shù)TB/s(例如HBM3單堆棧帶寬達(dá)819 GB/s);同時(shí),相比GDDR6,得益于短距離互連和先進(jìn)制程,HBM在相同帶寬下功耗降低約50%。

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